0.2 Micron length mushroom gate fabrication using a new single-level photoresist technique
In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 415-418
Konferenz
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Titel: |
0.2 Micron length mushroom gate fabrication using a new single-level photoresist technique
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Autor/in / Beteiligte Person: | Chao, P.C. ; Ku, W.H. ; Smith, P.M. ; Perkins, W.H. |
Zeitschrift: | 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 415-418 |
Quelle: | International Electron Devices Meeting; (1982) S. 415-418 |
Veröffentlichung: | 1982 |
Medientyp: | Konferenz |
DOI: | 10.1109/IEDM.1982.190312 |
Sonstiges: |
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