10-kV Lateral β-Ga₂O₃ MESFETs With B Ion Implanted Planar Isolation
In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-07-01), Heft 7, S. 1048-1051
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10-kV Lateral β-Ga₂O₃ MESFETs With B Ion Implanted Planar Isolation
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Autor/in / Beteiligte Person: | Liu, H. ; Wang, Y. ; Lv, Y. ; Han, S. ; Han, T. ; Dun, S. ; Guo, H. ; Bu, A. ; Feng, Z. |
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Zeitschrift: | IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-07-01), Heft 7, S. 1048-1051 |
Veröffentlichung: | 2023 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0741-3106 (print) ; 1558-0563 (print) |
DOI: | 10.1109/LED.2023.3279431 |
Sonstiges: |
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