Zum Hauptinhalt springen

A High-Voltage/High-Speed Human-Body-Model ESD Simulator Using SiC MOSFET

Sun, Jiahui ; Shu, Ji ; et al.
In: IEEE Electron Device Letters ; page 1-1 ; ISSN 0741-3106 1558-0563, 2024
Online academicJournal

Titel:
A High-Voltage/High-Speed Human-Body-Model ESD Simulator Using SiC MOSFET
Autor/in / Beteiligte Person: Sun, Jiahui ; Shu, Ji ; Chen, Kevin J. ; Hong Kong RGC Strategic Topics Grant
Link:
Zeitschrift: IEEE Electron Device Letters ; page 1-1 ; ISSN 0741-3106 1558-0563, 2024
Veröffentlichung: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2024
Medientyp: academicJournal
DOI: 10.1109/led.2024.3390132
Schlagwort:
  • Electrical and Electronic Engineering
  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: BASE
  • Sprachen: unknown
  • Document Type: article in journal/newspaper
  • Language: unknown
  • Rights: https://ieeexplore.ieee.org/Xplorehelp/downloads/license-information/IEEE.html ; https://doi.org/10.15223/policy-029 ; https://doi.org/10.15223/policy-037

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

oder
oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

oder
oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -