Thermodynamic study and characterization of low pressure chemically vapor deposited silicon oxynitride films from tetraethylorthosilicate, dichlorosilane and ammonia gas mixtures
In: ISSN: 0040-6090 ; Thin Solid Films ; https://hal.science/hal-01745054 ; Thin Solid Films, 2003, 429 (1-2), pp.77-83. ⟨10.1016/S0040-6090(03)00061-0⟩, 2003
academicJournal
Zugriff:
International audience ; This work describes the thermodynamic simulation and the experimental investigation of the chemical vapor deposition of silicon oxide and silicon oxynitride films starting from tetra-ethyl-orthosilicate (TEOS), dichlorosilane (DCS) and ammonia mixtures. The simulation reveals that nitrogen incorporation in the deposited films is possible at 710 °C and 300 mTorr at DCS/TEOS flow ratios above unity. For DCS/TEOS flow ratios less than unity, the deposited films are exclusively composed of silicon dioxide. These predictions were confirmed with Fourier Transform Infrared spectroscopy, X-ray Photoelectron Spectroscopy, Auger Electron Spectroscopy and Electron Energy Loss Spectroscopy measurements.
| Titel: |
Thermodynamic study and characterization of low pressure chemically vapor deposited silicon oxynitride films from tetraethylorthosilicate, dichlorosilane and ammonia gas mixtures
|
|---|---|
| Autor/in / Beteiligte Person: | Vamvakas, V ; Davazoglou, D ; Berjoan, R ; Schamm-Chardon, Sylvie ; Vahlas, Constantin ; National Center for Scientific Research "Demokritos" (NCSR) ; Institut De Science Et De Génie Des Matériaux Et Procédés (IMP-CNRS) ; Université de Perpignan Via Domitia (UPVD)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM) ; Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES) ; Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse) ; Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT) ; Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3) ; Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP) ; Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3) ; Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP) ; Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse) ; Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; Centre interuniversitaire de recherche et d'ingenierie des matériaux (CIRIMAT) ; Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3) ; Université de Toulouse (UT) |
| Link: | |
| Zeitschrift: | ISSN: 0040-6090 ; Thin Solid Films ; https://hal.science/hal-01745054 ; Thin Solid Films, 2003, 429 (1-2), pp.77-83. ⟨10.1016/S0040-6090(03)00061-0⟩, 2003 |
| Veröffentlichung: | HAL CCSD ; Elsevier, 2003 |
| Medientyp: | academicJournal |
| DOI: | 10.1016/S0040-6090(03)00061-0 |
| Schlagwort: |
|
| Sonstiges: |
|