HV-LDMOS Device Engineering Insights for Moving Current Filament to Enhance ESD Robustness.

Kranthi, N. K. ; Boselli, Gianluca ; et al.

In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1242-1250

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Titel:	HV-LDMOS Device Engineering Insights for Moving Current Filament to Enhance ESD Robustness.
Autor/in / Beteiligte Person:	Kranthi, N. K. ; Boselli, Gianluca ; Shrivastava, Mayank
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1242-1250
Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9383 (print)
DOI:	10.1109/TED.2022.3143073
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Business Source Ultimate Sprachen: English

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