Analytical Model of Random Variation in Drain Current of FGMOSFET.

Banchuin, Rawid

In: Active & Passive Electronic Components, Jg. 2015 (2015-07-15), S. 1-12

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Titel:	Analytical Model of Random Variation in Drain Current of FGMOSFET.
Autor/in / Beteiligte Person:	Banchuin, Rawid
Link:	Volltext (PDF)
Zeitschrift:	Active & Passive Electronic Components, Jg. 2015 (2015-07-15), S. 1-12
Veröffentlichung:	2015
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0882-7516 (print)
DOI:	10.1155/2015/315105
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Business Source Ultimate Sprachen: English

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