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    Dual Ferroelectric Stack of HfZrO₂/Al:HfO₂ With Tunable Coercive Voltage for High-Density Memory Applications
    Jeong, J. ; Park, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 3981-3984
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Analog-Based Synapse of Double HfZrO2 Ferroelectric FETs With Homogeneous Phase by Superlattice HfO2-ZrO2 Toward Energy Efficient Accelerator
    Lou, Z. ; Senapati, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Materials for Electron Devices, Jg. 1 (2024), S. 11-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effectively Suppressed Short-Channel Effects in Small-Size MoS2 Transistors by Introducing Negative-Capacitance Effect Resulted From Ferroelectric HfZrO2 Film
    Zou, J. ; Zou, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1185-1190
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of Endurance Degradation Mechanism of Si FeFET With HfZrO Ferroelectric by an In Situ Vth Measurement
    Shao, X. ; Chai, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 3043-3050
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of High-Gain CMOS Inverter Based on Ambipolar WSe2 Negative-Capacitance FETs With Ferroelectric HfZrAlO as Gate Dielectric
    Tao, X. ; Jiang, W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 2203-2209
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    SiGe/Si Superlattice Ferroelectric HfZrO2 ΩFET and CMOS Inverter With SSmin,n = 62.4 mV/dec, ION/IOFF > 1.0 × 107, and Voltage Gain = 111.4 V/V
    Yao, Y. ; Tseng, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-02-01), Heft 2, S. 260-263
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Performance Optimization for Ferroelectric HfZrOx on a Ge Substrate by Modifying the Deposition Temperature
    Lyu, S. ; Jiang, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 23 (2024), S. 139-143
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Orthorhombic-I Phase and Related Phase Transitions: Mechanism of Superior Endurance $(> 10^{14})$ of HfZrO Anti-ferroelectrics for DRAM Applications
    Weng, Zeping ; Lan, Zhangsheng ; et al.
    In: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024-04-14, S. 1
    Online Konferenz
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    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Nonlinear Modelling of Steerable Antenna Array by Ferroelectric Capacitors Based on Nanoscale Layers of HfZrO
    Trovarello, S. ; Renzo, A. Di Florio Di ; et al.
    In: 2023 53rd European Microwave Conference (EuMC), 2023-09-19, S. 524-527
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Improved Immunity to Sub-Cycling Induced Instability for Triple-Level Cell Ferroelectric FET Memory by Depositing HfZrOₓ on NH₃ Plasma-Treated Si
    Peng, H. ; Liu, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-08-01), Heft 8, S. 1219-1222
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Switching Dynamics in Metal–Ferroelectric HfZrO2–Metal Structures
    Kim, T. ; del Alamo, J.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 4016-4021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Local distortions of the crystal structure and their influence on the electronic structure and superconductivity of the high-entropy alloy (TaNb)0.67(HfZrTi)0.33
    Jasiewicz, Kinga ; Tobola, Janusz ; et al.
    Online report
    Zugriff:
    Zum Datensatz bei Arxiv (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effects of RTA Rising Time on Ferroelectric Characteristics of HfZrO2
    Han, C. ; Kwon, S.J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3499-3502
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Top-Gated MoS₂ Negative-Capacitance Transistors Fabricated by an Integral-Transfer of Pulsed Laser Deposited HfZrO₂ on Mica
    Zou, X. ; Zou, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3477-3482
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Investigation of Coercive Field Shift During Cycling in HfZrOₓ Ferroelectric Capacitors
    Cai, P. ; Li, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2384-2390
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Thermal Induced Pr Degradation Under Low-Voltage Operation in HfZrO Ferroelectric Film: Phenomenon and Underlying Mechanism
    Nie, B. ; Huang, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-09-01), Heft 9, S. 1456-1459
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Dynamic Constitutive Parameters Determination and Numerical Simulation Verification of HfZrTiTaNbCu<subscript>x</subscript> High Entropy Alloy
    Tu, Yiliang ; Chen, Chuang ; et al.
    In: Journal of Materials Engineering and Performance, 2024-01-02, S. 1-10
    academicJournal
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    Improved Reliability and Read Latency Under Radiation Observed in HfZrOx Based p-FeFETs With AlON Interfacial Layer
    Peng, H. ; Lai, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-03-01), Heft 3, S. 494-497
    Online academicJournal
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    Some Key Modifications of Theory Required to Understand the Leakage Current Mechanisms for Ferroelectric HfZro Capacitors Used in Microelectronics
    Lau, W.S.
    In: 2023 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2023-06-26, S. 1-3
    Online Konferenz
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    Volltext
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    Interval time dependent wake-up effect of HfZrO ferroelectric capacitor
    Ding, Yaru ; Yu, Xinwei ; et al.
    In: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023-03-01, S. 1-4
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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