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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    An inductive phase delay in the retarding field region of Schottky barrier BARITT diodes
    Oakes, J.G. ; Lee, C.A.
    In: 1973 International Electron Devices Meeting, 1973, S. 479-482
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Noise limits of GaAs and InP microwave FETs determined by dynamic analysis
    Frey, J. ; Maloney, T.J.
    In: 1975 International Electron Devices Meeting, 1975, S. 251-253
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Effects of nonequilibrium velocity-field characteristics on the performance of GaAs and InP field-effect transistors
    Maloney, T. J. ; Frey, J.
    In: 1974 International Electron Devices Meeting (IEDM), 1974-12-01, S. 296-298
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    High voltage high mobility low leakage current CVD-polycrystalline based, thin film transistor using conventional processing
    Proano, R.E. ; Soave, R.J. ; et al.
    In: 1987 International Electron Devices Meeting, 1987, S. 881-883
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Semiconductor lasers with very high quality etched facets
    Behfar-Rad, A. ; Wong, S.S.
    In: 1987 International Electron Devices Meeting, 1987, S. 895-897
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    A planar multi-level tungsten interconnect technology
    Thomas, D.C. ; Wong, S.S.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986, S. 811-813
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Trapped-plasma-mode waveforms, circuit analysis, and harmonic generation
    Snapp, C.P. ; Stark, L.A.
    In: 1970 International Electron Devices Meeting, 1970, S. 116-118
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Avalanche diode microwave noise generation experiments
    Dalman, G.C. ; Eastman, L.F.
    In: 1967 International Electron Devices Meeting, 1967, S. 44-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    The gain of CO2-N2-He lasers on individual rotation-vibration transitions at 10.6 microns
    Djeu, N. ; Kan, T. ; et al.
    In: 1967 International Electron Devices Meeting, 1967, S. 130-132
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Bulk GaAs millimeter-wave detector with fast response
    Ballantyne, J.M. ; Baukus, J.P. ; et al.
    In: 1971 International Electron Devices Meeting, 1971, S. 66-68
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Hyper-thin channel M.B.E. GaAs power F.E.T.s by single atomic plane doping
    Wood, C.E.C. ; Judaprawira, S. ; et al.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 388-389
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Enhancement of the electron velocity in GaAlAs-GaAs heterojunction bipolar transistor with abrupt emitter-base interface
    Ankri, D. ; Schaff, W. ; et al.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 788-788
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Session 24 Solid state devices — Permeable base transistors and ballistic devices
    Eastman, L.F.
    In: 1980 International Electron Devices Meeting, 1980, S. 607-607
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Session 21 Solid state devices — High-speed device technology
    Frey, J.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 477-477
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    The biased gap klystron
    Walder, J. ; McIsaac, P.R.
    In: 1964 International Electron Devices Meeting, 1964, S. 50-50
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    High-power beam-plasma amplifier
    Eastman, L.F. ; Clark, J. ; et al.
    In: 1963 International Electron Devices Meeting, 1963, S. 106-106
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    The operation of kilowatt LSA oscillators
    Bravman, J.S. ; Berry, J.D. ; et al.
    In: 1970 International Electron Devices Meeting, 1970, S. 54-54
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Operating characteristics of high power, pulsed LSA oscillator diodes
    Eastman, L.F. ; Kennedy, W.K., Jr.
    In: 1967 International Electron Devices Meeting, 1967, S. 82-82
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    High density field emitting semiconductor cathode
    Utsumi, T. ; Dalman, G.C.
    In: 1967 International Electron Devices Meeting, 1967, S. 122-122
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Performance and theory of avalanche resonance pumped IMPATT oscillators
    Snapp, C.P. ; Stark, L.A. ; et al.
    In: 1968 International Electron Devices Meeting, 1968, S. 16-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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