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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Novel Symmetrical Dual-Directional SCR With p-Type Guard Ring for High-Voltage ESD Protection.
    Du, Feibo ; Chang, Kuan-Chang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 4164-4167
    Online academicJournal
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    Gate-Lifted nMOS ESD Protection Device Triggered by a p-n-p in Series With a Diode.
    Lai, Da-Wei ; Sque, Stephen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 1642-1647
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    A Modified CLTdSCR With Low Leakage and Low Capacitance for ESD Protection.
    Sun, Kangming ; Li, Ting ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 934-937
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    RF/High-Speed I/O ESD Protection: Co-optimizing Strategy Between BEOL Capacitance and HBM Immunity in Advanced CMOS Process.
    Wu, Wei-Min ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 2752-2759
    Online academicJournal
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    Volltext
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Distinct Failure Modes of AlGaN/GaN HEMTs Under ESD Conditions.
    Shankar, Bhawani ; Raghavan, Srinivasan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1567-1574
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Augmented DTSCR With Fast Turn-On Speed for Nanoscale ESD Protection Applications.
    Du, Feibo ; Song, Wenqiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-03-01), Heft 3, S. 1353-1356
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    ESD Reliability of AlGaN/GaN HEMT Technology.
    Shankar, Bhawani ; Raghavan, Srinivasan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 3756-3763
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    ESD Protection Design for Touch Panel Control IC Against Latchup-Like Failure Induced by System-Level ESD Test.
    Ker, Ming-Dou ; Chiu, Po-Yen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-02-01), Heft 2, S. 642-645
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Design of Power-Rail ESD Clamp With Dynamic Timing-Voltage Detection Against False Trigger During Fast Power-ON Events.
    Chen, Jie-Ting ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 838-846
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    On-Chip ESD Protection Device for High-Speed I/O Applications in CMOS Technology.
    Chen, Jie-Ting ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3979-3985
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Physical Insights Into the ESD Behavior of Drain Extended FinFETs (DeFinFETs) and Unique Current Filament Dynamics.
    Kumar, B. Sampath ; Paul, Milova ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 2717-2724
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Drain-Extended FinFET With Embedded SCR (DeFinFET-SCR) for High-Voltage ESD Protection and Self-Protected Designs.
    Paul, Milova ; Sampath Kumar, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5072-5079
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    $\pi$ -SCR Device for Broadband ESD Protection in Low-Voltage CMOS Technology.
    Lin, Chun-Yu ; Lai, Yu-Hsuan
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 4107-4110
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Systematic Characterization of Graphene ESD Interconnects for On-Chip ESD Protection.
    Chen, Qi ; Ma, Rui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3205-3212
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Analysis of ESD Behavior of Stacked nMOSFET RF Switches in Bulk Technology.
    Rigato, Matteo ; Fleury, Clément ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 829-837
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Comparison Between High-Holding-Voltage SCR and Stacked Low-Voltage Devices for ESD Protection in High-Voltage Applications.
    Dai, Chia-Tsen ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 798-802
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Process Options Impact on ESD Diode Performance in Bulk FinFET Technology.
    Chen, Shih-Hung ; Hellings, Geert ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-09-01), Heft 9, S. 3424-3431
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    An Enhanced MLSCR Structure Suitable for ESD Protection in Advanced Epitaxial CMOS Technology.
    Du, Feibo ; Hou, Fei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-05-01), Heft 5, S. 2062-2067
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    ESD and Latchup Optimization of an Embedded-Floating-pMOS SCR-Incorporated BJT.
    Huang, Chih-Yao ; Chiu, Fu-Chien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3036-3043
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Quad-SCR Device for Cross-Domain ESD Protection.
    Altolaguirre, Federico A. ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3177-3184
    Online academicJournal
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