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    On the origin of dislocation loops in irradiated materials: A point of view from silicon
    Claverie, Alain ; Cherkashin, Nikolay ; et al.
    In: ISSN: 0168-583X, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On the origin of dislocation loops in irradiated materials: A point of view from silicon
    Claverie, Alain ; Cherkashin, Nikolay ; et al.
    In: ISSN: 0168-583X, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Temperature dependent retention characteristics of ion-beam modified SONOS memories
    Simatos, D.P. ; Dimitrakis, P. ; et al.
    In: ISSN: 0168-583X, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fractionation of silicon isotopes in liquids: The importance of configurational disorder
    Dupuis, Romain ; Benoit, Magali ; et al.
    In: ISSN: 0009-2541 ; Chemical Geology ; https://hal.science/hal-01765160 ; Chemical Geology, 2015, 396, pp.239-254. ⟨10.1016/j.chemgeo.2014.12.027⟩, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fractionation of silicon isotopes in liquids: The importance of configurational disorder
    Dupuis, Romain ; Benoit, Magali ; et al.
    In: ISSN: 0009-2541 ; Chemical Geology ; https://hal.science/hal-01765160 ; Chemical Geology, 2015, 396, pp.239-254. ⟨10.1016/j.chemgeo.2014.12.027⟩, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Temperature dependent retention characteristics of ion-beam modified SONOS memories
    Simatos, D.P. ; Dimitrakis, P. ; et al.
    In: ISSN: 0168-583X, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fractionation of silicon isotopes in liquids: The importance of configurational disorder
    Dupuis, Romain ; Benoit, Magali ; et al.
    In: ISSN: 0009-2541 ; Chemical Geology ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01765160 ; Chemical Geology, Elsevier, 2015, 396, pp.239-254. ⟨10.1016/j.chemgeo.2014.12.027⟩, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Quantification of the number of Si interstitials formed by hydrogen implantation in silicon using boron marker layers
    Darras, François-Xavier ; Cherkashin, Nikolay ; et al.
    In: ISSN: 0168-583X, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Quantification of the number of Si interstitials formed by hydrogen implantation in silicon using boron marker layers
    Darras, François-Xavier ; Cherkashin, Nikolay ; et al.
    In: ISSN: 0168-583X, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Quantification of the number of Si interstitials formed by hydrogen implantation in silicon using boron marker layers
    Darras, François-Xavier ; Cherkashin, Nikolay ; et al.
    In: ISSN: 0168-583X, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Decorated carbon nanotubes by silicon deposition in fluidized bed for Li-ion battery anodes
    Coppey, Nicolas ; Noé, Laure ; et al.
    In: ISSN: 0263-8762, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermodynamic study and characterization of low pressure chemically vapor deposited silicon oxynitride films from tetraethylorthosilicate, dichlorosilane and ammonia gas mixtures
    Vamvakas, V ; Davazoglou, D ; et al.
    In: ISSN: 0040-6090 ; Thin Solid Films ; https://hal.science/hal-01745054 ; Thin Solid Films, 2003, 429 (1-2), pp.77-83. ⟨10.1016/S0040-6090(03)00061-0⟩, 2003
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermodynamic study and characterization of low pressure chemically vapor deposited silicon oxynitride films from tetraethylorthosilicate, dichlorosilane and ammonia gas mixtures
    Vamvakas, V ; Davazoglou, D ; et al.
    In: ISSN: 0040-6090 ; Thin Solid Films ; https://hal.science/hal-01745054 ; Thin Solid Films, 2003, 429 (1-2), pp.77-83. ⟨10.1016/S0040-6090(03)00061-0⟩, 2003
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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