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    Study on Enhancing ESD Reliability Through A Area Modulation of High-Voltage nLDMOSs with the Drain Embedded STI
    Lin, Ting-En ; Chen, Shen-Li ; et al.
    In: 2024 10th International Conference on Applied System Innovation (ICASI), 2024-04-17, S. 46-48
    Online Konferenz
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    ESD-capability Study of High-voltage nLDMOSs with out the Drift Region DPW Effect
    Yang, Xiu-Yuan ; Mai, Xing-Chen ; et al.
    In: 2023 International Conference on Consumer Electronics - Taiwan (ICCE-Taiwan), 2023-07-17, S. 223-224
    Online Konferenz
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    ESD-capability Enhancement of Ultra-high Voltage nLDMOSs by the DPW Discrete Layer
    Zhou, Yu-jie ; Chen, Shen Li ; et al.
    In: 2020 3rd IEEE International Conference on Knowledge Innovation and Invention (ICKII), 2020-08-21, S. 59-60
    Online Konferenz
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    ESD-ability of Circular nLDMOS Transistors of UHV by Super-junction Length Modulation and Concentration Gradient
    Lan, Tien-Yu ; Chen, Shen-Li ; et al.
    In: 2020 3rd IEEE International Conference on Knowledge Innovation and Invention (ICKII), 2020-08-21, S. 57-58
    Online Konferenz
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    Strengthened ESD Reliability of HV nLDMOSs with Embedded Horizontal Schottky Devices
    Hong, Shi-Zhe ; Chen, Shen-Li ; et al.
    In: 2020 3rd IEEE International Conference on Knowledge Innovation and Invention (ICKII), 2020-08-21, S. 78-79
    Online Konferenz
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    Evaluating the Drift-Region Length Effect of nLDMOS on ESD Ability with a TLP Testing System
    Lin, Po-Lin ; Chen, Shen-Li ; et al.
    In: 2019 IEEE 8th Global Conference on Consumer Electronics (GCCE), 2019-10-01, S. 83-84
    Online Konferenz
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    An upgrade of ESD-reliability in HV 60-V nLDMOS-SCR devices by the discrete anode
    Chen, Shen-Li ; Lin, Yu-Lin ; et al.
    In: 2018 7th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE), 2018-05-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Novel parasitic-SCR impacts on ESD robustness in the 60 V power pLDMOS devices
    Chen, Shen-Li ; Yang, Chih-Hung ; et al.
    In: 2017 IEEE International Conference on Consumer Electronics - Taiwan (ICCE-TW), 2017-06-01, S. 381-382
    Online Konferenz
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    ESD-immunity evaluations of a 40 V nLDMOS with embedded SCRs in the drain side
    Chen, Shen-Li ; Yen, Chih-Ying ; et al.
    In: 2017 6th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE), 2017-05-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    ESD reliability evaluations of the 60-V nLDMOS by the drain-side discrete SCRs
    Chen, Shen-Li ; Chen, Kuei-Jyun ; et al.
    In: 2016 5th International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE), 2016-05-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Holding-voltage Improvement of UHV Circular nLDMOS Transistors by the Drain-side SCR Engineering
    Lan, Tien-Yu ; Chen, Shen-Li ; et al.
    In: 2021 IEEE International Conference on Consumer Electronics-Taiwan (ICCE-TW), 2021-09-15, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Effect of P-type Guard ring on the Turn-on Characteristics of Diode-triggered SCR
    Du, Feibo ; Liu, Zhiwei ; et al.
    In: 2019 8th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE), 2019-10-01, S. 1-3
    Online Konferenz
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    Physical design optimizations for a high-resolution third-order sigma-delta modulator
    Hong, Jin-Hua ; Yi, Wei-Ling
    In: 2015 12th International Conference on Fuzzy Systems and Knowledge Discovery (FSKD), 2015-08-01, S. 1961-1965
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