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    New Power Clamp Circuit for Concurrent ESD and Surge Protections
    Yang, Z. ; Xu, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 4538-4546
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Comparative Study on G-to-S ESD Robustness of the Ohmic-Gate and Schottky-Gate p-GaN HEMTs
    Shi, Y. ; He, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-05-01), Heft 5, S. 2229-2234
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Design of 2xVDD-Tolerant Power-Rail ESD Clamp Circuit Against False Trigger During Fast Power-ON Events
    Huang, Han-Sheng ; Ker, Ming-Dou
    In: 2021 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT), 2021-04-19, S. 1-4
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Area-Efficient Power-Rail ESD Clamp Circuit With False-Trigger Immunity in 28nm CMOS Process
    Shen, Z. ; Wang, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 876-884
    academicJournal
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    ESD Breakdown of Parylene OFETs With Varying Contact Overlap Capacitance
    Behrman, K. ; Zhu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4630-4636
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Compact and Low Leakage Devices for Bidirectional Low-Voltage ESD Protection Applications
    Du, F. ; Qing, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-03-01), Heft 3, S. 391-394
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Low-Leakage and Variable VHOLD Power Clamp for Wide Stress Time Range From ESD to Surge Test
    Narita, K. ; Okushima, M.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), Heft 4, S. 641-649
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    An Overview of On-Chip ESD Protection in Modern Deep Sub-Micron CMOS Technology
    Angelov, George V. ; Dobrichkov, Boris D. ; et al.
    In: 2018 IEEE XXVII International Scientific Conference Electronics - ET, 2018-09-01, S. 1-4
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    An Improved Silicon-Controlled Rectifier (SCR) for Low-Voltage ESD Application
    Du, F. ; Hou, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 576-581
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Compact ESD Protection Design for CMOS Low-Noise Amplifier
    Lin, C. ; Huang, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 33-39
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Augmented DTSCR With Fast Turn-On Speed for Nanoscale ESD Protection Applications
    Du, F. ; Song, W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-03-01), Heft 3, S. 1353-1356
    Online academicJournal
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    ESD Protection Design with Low-Leakage Consideration for Silicon Chips of IoT Applications
    Ker, Ming-Dou ; Lin, Chun-Yu ; et al.
    In: 2017 IEEE 7th Annual International Conference on CYBER Technology in Automation, Control, and Intelligent Systems (CYBER), 2017-07-01, S. 1496-1499
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    2×VDD-tolerant ESD detection circuit in a 90-nm low-voltage CMOS process
    Yang, Zhaonian ; Zhang, Yue ; et al.
    In: 2018 7th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE), 2018-05-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    ESD characterisation of a-IGZO TFTs on Si and foil substrates
    Wang, Nian ; Chen, Shih-Hung ; et al.
    In: 2017 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2017-09-01, S. 276-279
    Online Konferenz
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    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Investigations Into Unintended ESD Generator Artifacts: Prepulse and Postpulse
    Zhou, J. ; Wei, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 63 (2021-12-01), Heft 6, S. 1791-1798
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Compact and Self-Isolated Dual-Directional Silicon Controlled Rectifier (SCR) for ESD Applications
    Du, F. ; Liu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 19 (2019-03-01), Heft 1, S. 169-175
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    ESD-improvement comparisons of HV n-/p-LDMOS components by the bulk modulations
    Chen, Shen-Li ; Chen, Kuei-Jyun ; et al.
    In: 2017 IEEE 3rd International Future Energy Electronics Conference and ECCE Asia (IFEEC 2017 - ECCE Asia), 2017-06-01, S. 2182-2186
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    ESD-reliability influence on LV/HV MOSFET devices by different zapping-voltage steps in the transmission-line pulse testing
    Chen, Yu-Jen ; Chen, Shen-Li ; et al.
    In: 2017 International Conference on Applied System Innovation (ICASI), 2017-05-01, S. 1407-1410
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A low-leakage power clamp ESD protection circuit with prolonged ESD discharge time and compact detection network
    Cao, Jian ; Ye, Zhenxu ; et al.
    In: 2015 IEEE 11th International Conference on ASIC (ASICON), 2015-11-01, S. 1-4
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    ESD reliability improvement of the 0.25-µm 60-V power nLDMOS with discrete embedded SCRs separated by STI structures
    Chen, Shen-Li ; Wu, Yi-Cih ; et al.
    In: 2016 IEEE 8th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC-ECCE Asia), 2016-05-01, S. 1611-1614
    Online Konferenz
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