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    Essential Steps to Enable Analyzing Effective Resistance of ESD Paths-PG Routing Network Pruning and Resistance Contribution by Layer
    Feng, Frank ; Huang, Abner ; et al.
    In: 2023 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2023-06-26, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Design and Optimization of RC Triggered MV-NMOS for 28NM CMOS Technology ESD Protection
    Zhu, Jia ; Wei, Lanying ; et al.
    In: 2023 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2023-06-26, S. 1-3
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    A Radiation-Hardened Dual-Direction SCR Based on LDMOS for ESD Protection in the Extreme Radiation Environment
    Wu, M. ; Zhang, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 708-715
    Online academicJournal
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    Cell-by-Cell SCR ESD Protection Structures in 28nm CMOS
    Zhang, Feilong ; Li, Cheng ; et al.
    In: 2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2019-03-01, S. 327-329
    Online Konferenz
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    Tunable ESD clamp for high-voltage power I/O pins of a battery charge circuit in mobile applications
    Scholz, Mirko ; Hellings, Geert ; et al.
    In: 2017 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2017-09-01, S. 248-251
    Online Konferenz
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    ESD-ability of Circular nLDMOS Transistors of UHV by Super-junction Length Modulation and Concentration Gradient
    Lan, Tien-Yu ; Chen, Shen-Li ; et al.
    In: 2020 3rd IEEE International Conference on Knowledge Innovation and Invention (ICKII), 2020-08-21, S. 57-58
    Online Konferenz
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    Strengthened ESD Reliability of HV nLDMOSs with Embedded Horizontal Schottky Devices
    Hong, Shi-Zhe ; Chen, Shen-Li ; et al.
    In: 2020 3rd IEEE International Conference on Knowledge Innovation and Invention (ICKII), 2020-08-21, S. 78-79
    Online Konferenz
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    Sudoku DTSCR ESD Array in 22nm FDSOI
    Li, Cheng ; Zhang, Feilong ; et al.
    In: 2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2021-04-08, S. 1-3
    Online Konferenz
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    Signoff-level full-chip ESD/reliability design verification using logic-driven layout static approach
    Li, Li ; Lee, Yi-Ting ; et al.
    In: 2020 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2020-06-26, S. 1-4
    Online Konferenz
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    ESD performance enhancement methodologies for CMOS power transistors
    Natarajan, Mahadeva Iyer ; Lee, Jian-Hsing
    In: 2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2017-02-01, S. 116-118
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    ESD protection and driving capability switch control circuits for large array NMOSFET driving devices
    Chen, Hung-Wei ; Huang, Shao-Chang ; et al.
    In: 2017 International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2017-10-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    An upgrade of ESD-reliability in HV 60-V nLDMOS-SCR devices by the discrete anode
    Chen, Shen-Li ; Lin, Yu-Lin ; et al.
    In: 2018 7th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE), 2018-05-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    ESD protection design for gigahertz differential LNA in a 65-nm CMOS process
    Lin, Chun-Yu ; Fan, Mei-Lian ; et al.
    In: 2015 Asia-Pacific Symposium on Electromagnetic Compatibility (APEMC), 2015-05-01, S. 322-324
    Online Konferenz
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    Novel parasitic-SCR impacts on ESD robustness in the 60 V power pLDMOS devices
    Chen, Shen-Li ; Yang, Chih-Hung ; et al.
    In: 2017 IEEE International Conference on Consumer Electronics - Taiwan (ICCE-TW), 2017-06-01, S. 381-382
    Online Konferenz
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    ESD-immunity evaluations of a 40 V nLDMOS with embedded SCRs in the drain side
    Chen, Shen-Li ; Yen, Chih-Ying ; et al.
    In: 2017 6th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE), 2017-05-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design on ESD robustness of source-side discrete distribution in the 60-V high-voltage nLDMOS devices
    Chen, Shen-Li ; Yang, Chih-Hung ; et al.
    In: 2016 IEEE International Conference on Consumer Electronics-Taiwan (ICCE-TW), 2016-05-01, S. 1-2
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    FinFET SCR structure optimization for high-speed serial links ESD protection
    Chu, Li-Wei ; Chang, Yi-Feng ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Robust design of HV pLDMOS-ESCR structures in a 60-V BCD process
    Chen, Shen-Li ; Lee, Min-Hua ; et al.
    In: 2014 International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE), 2014-05-01, S. 1-4
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A diode-triggered silicon-controlled rectifier with small diode width for electrostatic discharge applications
    Jizhi, L. ; Changjun, L. ; et al.
    In: 2017 International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2017-10-01, S. 1-2
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    Improving the long pulse width failure current of NPN in BiCMOS technology
    Xiu, Yang ; Appaswamy, Aravind ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
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