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    Area-Efficient Silicon Carbide SCR Device for On-Chip ESD Protection.
    Lai, Pengyu ; Wang, Hui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3022-3028
    Online academicJournal
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    Stacking-MOS Protection Design for Interface Circuits Against Cross-Domain CDM ESD Stresses.
    Hsueh, Cheng-Yun ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 1461-1470
    Online academicJournal
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    The Impact of Holding Voltage of Transient Voltage Suppressor (TVS) on Signal Integrity of Microelectronics System With CMOS ICs Under System-Level ESD and EFT/Burst Tests.
    Shen, Yu-Shu ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2152-2159
    Online academicJournal
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    ESD Protection Design for Touch Panel Control IC Against Latchup-Like Failure Induced by System-Level ESD Test.
    Ker, Ming-Dou ; Chiu, Po-Yen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-02-01), Heft 2, S. 642-645
    Online academicJournal
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    On-Chip ESD Protection Device for High-Speed I/O Applications in CMOS Technology.
    Chen, Jie-Ting ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3979-3985
    Online academicJournal
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    $\pi$ -SCR Device for Broadband ESD Protection in Low-Voltage CMOS Technology.
    Lin, Chun-Yu ; Lai, Yu-Hsuan
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 4107-4110
    Online academicJournal
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    Systematic Characterization of Graphene ESD Interconnects for On-Chip ESD Protection.
    Chen, Qi ; Ma, Rui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3205-3212
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Comparison Between High-Holding-Voltage SCR and Stacked Low-Voltage Devices for ESD Protection in High-Voltage Applications.
    Dai, Chia-Tsen ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 798-802
    Online academicJournal
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    ESD Protection Design With Stacked High-Holding-Voltage SCR for High-Voltage Pins in a Battery-Monitoring IC.
    Dai, Chia-Tsen ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-05-01), Heft 5, S. 1996-2002
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Understanding and Modeling of Diode Voltage Overshoots During Fast Transient ESD Events.
    Pan, Zhihao ; Schroeder, Dietmar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 8, S. 2682-2689
    Online academicJournal
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    Power-Rail ESD Clamp Circuit With Ultralow Standby Leakage Current and High Area Efficiency in Nanometer CMOS Technology.
    Yeh, Chih-Ting ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-10-01), Heft 10, S. 2626-2634
    Online academicJournal
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    A Novel Dual-Directional SCR Structure With High Holding Voltage for 12-V Applications in 0.13-μm BCD Process.
    Do, Kyoung-Il ; Song, Bo-Bae ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 5020-5027
    Online academicJournal
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    Optimization Design on Active Guard Ring to Improve Latch-Up Immunity of CMOS Integrated Circuits.
    Chen, Chun-Cheng ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 1648-1655
    Online academicJournal
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    Investigation of Double-Snapback Characteristic in Resistor-Triggered SCRs Stacking Structure.
    Yen, Shiang-Shiou ; Fan, Chia-Chi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 4200-4205
    Online academicJournal
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    Active Guard Ring to Improve Latch-Up Immunity.
    Tsai, Hui-Wen ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 4145-4152
    Online academicJournal
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    Investigation of Unexpected Latchup Path Between HV-LDMOS and LV-CMOS in a 0.25- \mu \textm 60-V/5-V BCD Technology.
    Dai, Chia-Tsen ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 3519-3523
    Online academicJournal
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    High-Voltage 3-D Partial SOI Technology Platform for Power Integrated Circuits.
    Antoniou, Marina ; Udrea, Florin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3296-3301
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    CDM Simulation Based on Tester, Package and Full Integrated Circuit Modeling: Case Study.
    Abessolo-Bidzo, Dolphin ; Smedes, Theo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-11-01), Heft 11, S. 2869-2875
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