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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    High Efficiency Flat-Type GaN-Based Light-Emitting Diodes with Multiple Local Breakdown Conductive Channels
    Choi, Dae-Choul ; Seung Hun Lee ; et al.
    In: Materials, Jg. 17 (2024-06-01), Heft 11, S. 2700-2700
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    High Breakdown Voltage and Low Buffer Trapping in Superlattice GaN-on-Silicon Heterostructures for High Voltage Applications
    Tajalli, Alaleh ; Meneghini, Matteo ; et al.
    In: Materials, Jg. 13 (2020-09-01), Heft 19, S. 4271-4271
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Use of Bilayer Gate Insulator in GaN-on-Si Vertical Trench MOSFETs: Impact on Performance and Reliability
    Mukherjee, Kalparupa ; Carlo De Santi ; et al.
    In: Materials, Vol 13, Iss 4740, p 4740 (2020, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Influence of a Two-Dimensional Growth Mode on Electrical Properties of the GaN Buffer in an AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
    Esendag, Volkan ; Feng, Peng ; et al.
    In: Materials, Vol 15, Iss 6043, p 6043 (2022, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Status of Aluminum Oxide Gate Dielectric Technology for Insulated-Gate GaN-Based Devices
    Calzolaro, Anthony ; Mikolajick, Thomas ; et al.
    In: Materials, Vol 15, Iss 791, p 791 (2022, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Diamond/GaN HEMTs: Where from and Where to?
    Mendes, Joana C. ; Liehr, Michael ; et al.
    In: Materials, Vol 15, Iss 415, p 415 (2022, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Structural and Electrical Characterization of 2” Ammonothermal Free-Standing GaN Wafers. Progress toward Pilot Production
    Key, Daryl ; Letts, Edward ; et al.
    In: Materials, Vol 12, Iss 12, p 1925 (2019, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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