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    A Novel DTSCR With Embedded MOS and Island Diodes for ESD Protection of High-Speed ICs.
    Liang, Hailian ; Ma, Qinling ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 22 (2022-06-01), Heft 2, S. 306-311
    Online academicJournal
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    A Gate-Grounded NMOS-Based Dual-Directional ESD Protection With High Holding Voltage for 12V Application.
    Do, Kyoung-Il ; Song, Bo-Bae ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), Heft 4, S. 716-722
    Online academicJournal
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    Volltext
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    The Influence of N-Type Buried Layer on SCR ESD Protection Devices.
    Wang, Yang ; Chen, Xijun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), Heft 4, S. 658-666
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Measurement and Simulation of On-Chip Supply Noise Induced by System-Level ESD.
    Xiu, Yang ; Thomson, Nicholas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-03-01), Heft 1, S. 211-220
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Soft-Failures Induced by System-Level ESD.
    Thomson, Nicholas A. ; Xiu, Yang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 17 (2017-03-01), Heft 1, S. 90-98
    Online academicJournal
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    Stress Current Slew Rate Sensitivity of an Ultra-High-Speed Interface IC.
    Weber, Johannes ; Fung, Rita ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-12-01), Heft 4, S. 591-601
    Online academicJournal
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    Charged Device Model Reliability of Three-Dimensional Integrated Circuits.
    Shukla, Vrashank ; Rosenbaum, Elyse
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 15 (2015-12-01), Heft 4, S. 559-566
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Miscorrelation Between Air Gap Discharge and Human Metal Model Stresses Due to Multi-Finger Turn-On Effect.
    Xi, Yunfeng ; Malobabic, Slavica ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 14 (2014-09-01), Heft 3, S. 864-868
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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