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    Dynamics of 111 Ge facet and dopant distribution at laminar melt flow crystal growth
    Marchenko, M.P. ; Golyshev, V.D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 303 (2007-05-01), Heft 1, S. 297-301
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Features of mass transfer for the laminar melt flow along the interface
    Bykova, S.V. ; Golyshev, V.D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-03), Heft 1-3, S. 1886-1891
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Weak melt flow effect on dopant striations in Te-doped GaSb crystal growth
    Bykova, Sveta V. ; Golyshev, Vladimir D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-15), Heft 1/2, S. e577
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The experimental–numerical investigation of instability of faceted Ge doped by Sb growth on the base of AHP method
    Bykova, Sveta V. ; Golyshev, Vladimir D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-15), Heft 1/2, S. e229
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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