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    A Novel Voltage Divider Trigger SCR With Low Leakage Current for Low-Voltage ESD Application.
    Liu, Jizhi ; Liu, Yilin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2534-2542
    Online academicJournal
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    On-Chip HBM and HMM ESD Protection Design for RF Applications in 40-nm CMOS Process.
    Chen, Jie-Ting ; Lin, Chun-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), Heft 12, S. 5267-5274
    Online academicJournal
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    Volltext
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    RF/High-Speed I/O ESD Protection: Co-optimizing Strategy Between BEOL Capacitance and HBM Immunity in Advanced CMOS Process.
    Wu, Wei-Min ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 2752-2759
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Robust ESD Protection Design for 40-Gb/s Transceiver in 65-nm CMOS Process.
    Lin, Chun-Yu ; Chu, Li-Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), Heft 11, S. 3625-3631
    Online academicJournal
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    High Area-Efficient ESD Clamp Circuit With Equivalent RC-Based Detection Mechanism in a 65-nm CMOS Process.
    Yeh, Chih-Ting ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-03-01), Heft 3, S. 1011-1018
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Corrections to “A Modified CLTdSCR With Low Leakage and Low Capacitance for ESD Protection”.
    Sun, Kangming ; Li, Ting ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2147-2147
    Online academicJournal
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    Ultralow Capacitance Transient Voltage Suppressor Design.
    Lo, Kuo-Hsuan ; Huang, Chien-Hao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3064-3068
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    CDM Simulation Based on Tester, Package and Full Integrated Circuit Modeling: Case Study.
    Abessolo-Bidzo, Dolphin ; Smedes, Theo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-11-01), Heft 11, S. 2869-2875
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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