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    High-Voltage ESD Protection Devices With High Robustness of 13 kV and Strong Radiation Tolerance up to 200 krad(Si)
    Duan, Y. ; Li, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 3518-3524
    Online academicJournal
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    A High-Voltage/High-Speed Human-Body-Model ESD Simulator Using SiC MOSFET
    Sun, J. ; Shu, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-06-01), Heft 6, S. 1056-1059
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Passive Hybrid Circuit Model for Electrostatic Discharge (ESD) Characterization
    Wang, Y. ; Yang, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 2301-2308
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Robustness-Improved ESD Protection Devices With Low Leakage Using Middle Silicon Layer in Double SOI Technology
    Zhang, C. ; Li, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 3504-3509
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Design of High-Robustness LDO Regulator With Floating SCR Based ESD Protection Circuit Using High Gain Buffer
    Kwon, S. ; Do, K. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 33555-33568
    academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A GaN Lateral Bidirectional ESD Clamp Based on the Floating-Gate MBS and a Regulating Capacitor
    Liu, C. ; Shi, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 1, S. 510-515
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    All-Directional Silicon-Controlled Rectifier With Improved Voltage Clamping Capability for FinFET ESD Protection
    Du, F. ; Xie, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 2247-2252
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    On the Multifinger Turn-On Instability in Drain Extended Vertically Stacked Nanosheet FETs Under ESD Stress Conditions
    Jatin, . ; Monishmurali, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 983-990
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Design of Bi-Directional ESD Protection Circuit With Uni-Directional ESD Device in BCD Technology
    Hsu, C. ; Ker, M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 5028-5035
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    New Power Clamp Circuit for Concurrent ESD and Surge Protections
    Yang, Z. ; Xu, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 4538-4546
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Development of an Experimental Instrumentation Dedicated to ESD Testing and Measurement on Nanosatellites
    Mateo-Velez, J. ; Issac, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Plasma Science, Jg. 51 (2023-09-01), Heft 9, S. 2544-2549
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Dependence of Solar Cell ESD Voltage Threshold on Cover Glass Secondary Emission Properties
    Hess, S.L. ; Payan, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Plasma Science, Jg. 51 (2023-09-01), Heft 9, S. 2556-2560
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Enhancing ESD Performance of FinSCRs: Engineering Schemes to Address Current Localization and Failure Current Scalability
    Monishmurali, M. ; Shrivastava, M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 4067-4074
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    ON-State Human Body Model ESD Failure Mechanisms in GaN-on-Si RF MIS-HEMTs
    Wu, W. ; Chen, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-08-01), Heft 8, S. 1248-1251
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improved SEED Modeling of an ESD Discharge to a USB Cable
    Xu, Y. ; Zhou, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 65 (2023-06-01), Heft 3, S. 625-633
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Human Metal ESD: Design of a Full-Wave Model and an Improved Compact Generator
    Luo, G. ; Huang, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 65 (2023-06-01), Heft 3, S. 634-642
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Comparative Study on G-to-S ESD Robustness of the Ohmic-Gate and Schottky-Gate p-GaN HEMTs
    Shi, Y. ; He, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-05-01), Heft 5, S. 2229-2234
    Online academicJournal
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    Investigation of CDM ESD Protection Capability Among Power-Rail ESD Clamp Circuits in CMOS ICs With Decoupling Capacitors
    Huang, Y. ; Ker, M.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 84-94
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Comparison of ESD Damage Test for Common-Mode Chokes With ESD Gun and TLP-HMM
    Ito, H. ; Yoshida, M. ; et al.
    In: IEEE Letters on Electromagnetic Compatibility Practice and Applications, Jg. 5 (2023-03-01), Heft 1, S. 10-15
    Online academicJournal
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    ESD-Event Detector for ESD Control Applications in Semiconductor Manufacturing Factories
    Wu, I. ; Ker, M.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 64 (2022-12-01), Heft 6, S. 1793-1801
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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