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    The triangular barrier switch
    Najjar, F.E. ; Barnard, J.A. ; et al.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 177-180
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    0.2 Micron length mushroom gate fabrication using a new single-level photoresist technique
    Chao, P.C. ; Ku, W.H. ; et al.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 415-418
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Submicron GaAs vertical electron transistor
    Mishra, U. ; Kohn, E. ; et al.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 594-597
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A high efficiency CW transferred-electron oscillator with optimized doping profile
    Kamei, K. ; Eastman, L. F.
    In: 1974 International Electron Devices Meeting (IEDM), 1974-12-01, S. 125-128
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Low-voltage tunnel-injection electroluminescent devices
    Clark, M. D. ; Baidyaroy, S. ; et al.
    In: 1974 International Electron Devices Meeting (IEDM), 1974-12-01, S. 340-343
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Transverse magnetoresistance in GaAs two terminal submicron devices: A characterization of electron transport in the near ballistic regime
    Hollis, M. ; Dandekar, N. ; et al.
    In: 1980 International Electron Devices Meeting, 1980, S. 622-625
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A high performance 0.12 um T-shape gate Ga0.5In0.5As/Al0.5In0.5As MODFET grown by MBE lattice mis-matched on a GaAs substrate
    Chen, Y.K. ; Wang, G.W. ; et al.
    In: 1987 International Electron Devices Meeting, 1987, S. 431-434
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Oxygen implantation for improved CMOS latchup immunity
    Ratanaphanyarat, S. ; Verdonckt, S.V. ; et al.
    In: 1987 International Electron Devices Meeting, 1987, S. 744-747
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Accurate criterion for MOSFET effective gate length extraction using the capacitance method
    Scarpulla, J. ; Mele, T.O. ; et al.
    In: 1987 International Electron Devices Meeting, 1987, S. 722-725
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Electrical and structural characteristics of thin nitrided gate oxides prepared by rapid thermal nitridation
    Nulman, J. ; Krusius, J.P. ; et al.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984, S. 169-172
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Microwave characterization of very high transconductance MODFET
    Camnitz, L.H. ; Tasker, P.J. ; et al.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984, S. 360-363
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    SOS MESFET processing technology for microwave integrated circuits
    Barnard, J. ; Huang, R. S. ; et al.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 281-284
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An epitaxial photoconductive detector for high speed optical detection
    Gammel, J.C. ; Metze, G. ; et al.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 634-637
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Study of heterostructure launchers for generation of ballistic electrons
    Al-Omar, A. ; Krusius, J.P.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986, S. 85-88
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    III-V heterojunction field effect transistor using indium alloys
    Eastman, L.F.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986, S. 456-459
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characteristics of very short gate normally-off GaAs MESFET inverters
    Levy, H.M. ; Camnitz, L. ; et al.
    In: 1981 International Electron Devices Meeting, 1981, S. 88-91
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A submicron gate-wall structure for low-noise MESFET's
    Chao, P.C. ; Ku, W.H.
    In: 1981 International Electron Devices Meeting, 1981, S. 92-95
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The OPFET: A new high speed optical detector
    Gammel, J.C. ; Ballantyne, J.M.
    In: 1978 International Electron Devices Meeting, 1978, S. 120-123
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fundamental material properties and substrate technology: Effects on achievable performance by compound semiconductor FET's
    Frey, J. ; Wada, T. ; et al.
    In: 1978 International Electron Devices Meeting, 1978, S. 144-147
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Microwave semiconductor devices: State-of-the-art and limiting effects
    Eastman, L.F.
    In: 1978 International Electron Devices Meeting, 1978, S. 364-367
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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