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    A robust curve tracing scheme for the simulation of bipolar breakdown characteristics with nonlocal impact ionization models
    Bartels, M. ; Decker, S. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 492-495
    Online Konferenz
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    The Effect of Impact Ionization on the Subthreshold Leakage Current in N-Channel Double-Gate SOI Transistors
    Park, Jae-Kwan ; Deshpande, H.V. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 163-166
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Experimental Evidence of Impact Ionisation in InP HBT's Designed for Rapid Digital Applications: Implementation in a DC Model
    Maneux, C. ; Martin, J. C. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 323-326
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Degradation of Si MOSFET Gate Oxides by Ion Implantation
    Ponomarev, Y.V. ; Stolk, P.A. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 128-131
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of Second Impact Ionization Phenomena Between 0.18um N- and P-channel MOSFET's
    Bravaix, A. ; Goguenheim, D. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 140-143
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    MOS Memory Using Silicon Nanocrystals Formed by Very-Low Energy Ion Implantation
    Kapetanakis, E. ; Normand, P. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 476-479
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    In-line charging monitoring with Plasma Damage Monitor for ion implantation processing
    Bloot, A.S. ; Satink, E.H.J. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 560-563
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Optimization of Critical Ion Implantation Steps in 0.18 um CMOS Technology
    Bourenkov, A. ; Wittl, J. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 92-95
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    New Lifetime Prediction Method Based on the Control of the Secondary Impact Ionization with the Substrate Bias
    Marchand, B. ; Ghibaudo, G. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 212-215
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A comparative study of three designs of 0.10 um NMOSFETs processed with heavy ion implanted pocket
    Guegan, G. ; Deleonibus, S. ; et al.
    In: 27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, S. 244-247
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigation of the influence of impact ionization feedback on the spatial distribution of hot carriers in an NMOSFET
    Jungemann, C. ; Yamaguchi, S. ; et al.
    In: 27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, S. 336-339
    Online Konferenz
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Water-Assisted Positive Ion Contamination Resulting in Charge Loss in Nonvolatile Memories
    Gassot, P. ; Iline, A. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 268-271
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Optimization of extension doping technology for roll-off suppression of industrial 0.1-um pMOSFETs
    Lenoble, D. ; Josse, E. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 400-403
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ultra-Shallow extensions for industrial 0.15 um CMOS technology fabricated using Plasma Doping
    Lenoble, D. ; Alieu, J. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 392-395
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Gate and Source/Drain Engineering for 50 nm P-Channel MOSFET
    Guegan, G. ; Deleonibus, S. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 171-174
    Online Konferenz
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    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optimization of Industrial High Voltage Structures by Three-Dimensional Diffusion Simulation
    Cervenka, J. ; Fleischmann, P. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 227-230
    Online Konferenz
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    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Accurate Simulation of Substrate Currents by Accounting for the Hot Electron Tail Population
    Grasser, T. ; Kosina, H. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 215-218
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Stable and unstable dynamic avalanche in fast Silicon Power Diodes
    Domeij, M. ; Lutz, J. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 263-266
    Online Konferenz
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    Volltext
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    An experimental approach for bias-dependent drain series resistances evaluation in asymmetric HV MOSFETs
    Hefyene, N. ; Anghel, C. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 403-406
    Online Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Investigations and Physical Modelling of Saturation Effects in Lateral DMOS Transistor Architectures Based on the Concept of Intrinsic Drain Voltage
    Anghel, C. ; Hefyene, N. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 399-402
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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