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    [Front matter]
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 19
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Ultra high precision circuit diagnosis through seebeck generation and charge monitoring
    Boit, Christian ; Helfmeier, Clemens ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 17-21
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of a PMOS transistor in 90nm technology
    Sarafianos, Alexandre ; Gagliano, Olivier ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 22-27
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Development and application of prognostics and health management technology
    Shao-feng, Xie ; Yun-fei, En ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 3-7
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Eliminating the top causes of customer-attributable integrated circuit failures
    Olney, Andrew H.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 8-14
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Optical Probing of FinFETs
    Fine, J. ; Young, C.D. ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 28-31
    Online Konferenz
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    Understanding correlated drain and gate current fluctuations
    Goes, W. ; Toledano-Luque, M. ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 51-56
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Investigation of chromium contamination induced TDDB degradation in MOSFET
    Hsiao, Chih-Jen ; Teng, An-Shun ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 61-64
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Bias-temperature instability of Si and Si(Ge)-channel sub-1nm EOT p-MOS devices: Challenges and solutions
    Groeseneken, G. ; Aoulaiche, M. ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 41-50
    Online Konferenz
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    Design flow and techniques for fault-tolerant ASIC
    Stamenkovic, Z. ; Petrovic, V. ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 93-98
    Online Konferenz
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    Impact of cerium oxide's grain size for dielectric relaxation
    Zhao, Chun ; Ce Zhou Zhao ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 57-60
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Failure analysis considerations in designing for EOS/ESD robustness
    Hajjar, Jean-Jacques ; Righter, Alan ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 67-71
    Online Konferenz
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    A study of latch-up mechanisms for adjacent pins on multiple power supply circuits
    Liang, Sanan ; Guo, Annie ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 78-82
    Online Konferenz
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    Application of photoemission microscopy (PEM) and Computer Aided Design (CAD) navigation system in localization of high side power switch open contact failure
    Lee Nean Sern
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 83-86
    Online Konferenz
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    A high latchup - Immune ESD protection SCR-incorporated BJT in deep submicron technology
    Huang, Chih-Yao ; Chiu, Fu-Chien ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 72-77
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optimization of TEM sample preparation methods by FIB for the increase of throughput
    Duan, Shuqing ; Qi, Ruijuan ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 99-102
    Online Konferenz
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    Failure analysis of complicated case by functional OBIRCH method
    Fan, Diwei ; Tian, Li ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 87-90
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fast 3D tomography at package level by using Xe plasma focused ion beam
    Hrncir, T. ; Hladik, L. ; et al.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 112-115
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    Interconnect reliability assurance for circuits with billions of transistors
    Turner, Timothy E.
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 149-152
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    Application of PVC to significantly improve the success rate in locating trench defect using FIB after electrical failure localization
    Zakaria, Nurhanani
    In: Proceedings of the 20th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2013-07-01, S. 103-106
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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