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    ESD nMOSFETs in Advanced Bulk FinFET Technology With Dual S/D Epitaxy.
    Chen, Wen-Chieh ; Chen, Shih-Hung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 5357-5362
    Online academicJournal
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    Area-Efficient Silicon Carbide SCR Device for On-Chip ESD Protection.
    Lai, Pengyu ; Wang, Hui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3022-3028
    Online academicJournal
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    HV-LDMOS Device Engineering Insights for Moving Current Filament to Enhance ESD Robustness.
    Kranthi, N. K. ; Boselli, Gianluca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1242-1250
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Investigation and Suppression of Holding Voltage Deterioration in Multifinger SCR for Robust High-Voltage ESD Engineering.
    Du, Feibo ; Jiang, Guijun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6338-6343
    Online academicJournal
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    ESD Breakdown of Parylene OFETs With Varying Contact Overlap Capacitance.
    Behrman, Keith ; Zhu, Zhihua ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4630-4636
    Online academicJournal
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    Simulation Study of a High Gate-to-Source ESD Robustness Power p-GaN HEMT With Self-Triggered Discharging Channel.
    Xin, Yajie ; Chen, Wanjun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4536-4542
    Online academicJournal
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    Compact and Fast Response Dual-Directional SCR for Nanoscale ESD Protection Engineering.
    Du, Feibo ; Chang, Kuan-Chang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3490-3493
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A Novel Voltage Divider Trigger SCR With Low Leakage Current for Low-Voltage ESD Application.
    Liu, Jizhi ; Liu, Yilin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2534-2542
    Online academicJournal
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    Unique Rise Time Sensitivity Leading to Air Discharge System-Level ESD Failures in Bidirectional High Voltage SCRs.
    Kranthi, N. K. ; Sarro, James Di ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2552-2559
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Stacking-MOS Protection Design for Interface Circuits Against Cross-Domain CDM ESD Stresses.
    Hsueh, Cheng-Yun ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 1461-1470
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    System-Level IEC ESD Failures in High-Voltage DeNMOS-SCR: Physical Insights and Design Guidelines.
    Kranthi, N. K. ; Sarro, James Di ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4242-4250
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design of High-Voltage-Tolerant Power-Rail ESD Protection Circuit for Power Pin of Negative Voltage in Low-Voltage CMOS Processes.
    Chang, Rong-Kun ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 40-46
    Online academicJournal
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    Engineering Schemes for Bulk FinFET to Simultaneously Improve ESD/Latch-Up Behavior and Hot Carrier Reliability.
    Paul, Milova ; Kumar, B. Sampath ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 2745-2751
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An ESD-Protected, One-Time Programmable Memory Front-End Circuit for High-Voltage, Silicon-on-Insulator Technology.
    Arosio, Martina ; Boffino, Chiara ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2848-2854
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    3-D TCAD Methodology for Simulating Double-Hysteresis Filamentary I – V Behavior and Holding Current in ESD Protection SCRs.
    Karaca, Hasan ; Holland, Steffen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4214-4222
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Compact ESD Protection Design for CMOS Low-Noise Amplifier.
    Lin, Chun-Yu ; Huang, Guo-Lun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 33-39
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Designing ESD Protection Devices for Ultrafast Overvoltage Events.
    Coyne, Edward ; Clarke, Dave ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-11-01), Heft 11, S. 4850-4857
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    ESD mm-Wave-Circuit Protection: 3-dB Couplers.
    Margalef-Rovira, M. ; Pelletier, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 5989-5994
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The Impact of Holding Voltage of Transient Voltage Suppressor (TVS) on Signal Integrity of Microelectronics System With CMOS ICs Under System-Level ESD and EFT/Burst Tests.
    Shen, Yu-Shu ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2152-2159
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    On-Chip HBM and HMM ESD Protection Design for RF Applications in 40-nm CMOS Process.
    Chen, Jie-Ting ; Lin, Chun-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), Heft 12, S. 5267-5274
    Online academicJournal
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