Zum Hauptinhalt springen
UB Wuppertal

Suchergebnisse

Katalog

Artikel & mehr
168 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Inhaltsanbieter

168 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Analyzing Total-Ionizing-Dose Induced Memory Window Degradation in Ferroelectric FinFET
    Woo, S. ; Aabrar, K.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 24 (2024-03-01), Heft 1, S. 84-88
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Low-Temperature Deuterium Annealing for the Recovery of Ionizing Radiation-Induced Damage in MOSFETs
    Wang, D. ; Yoon, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 23 (2023-06-01), Heft 2, S. 297-301
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Total Ionizing Dose (TID) Impact on Basic Amplifier Stages
    Ilik, S. ; Yelten, M.B.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 23 (2023-03-01), Heft 1, S. 51-57
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Extracting Total Ionizing Dose Threshold Voltage Shifts From Ring Oscillator Circuit Response
    Clark, L.T. ; Young-Sciortino, C.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 23 (2023-03-01), Heft 1, S. 162-171
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    New Total-Ionizing-Dose Resistant Data Storing Technique for NAND Flash Memory
    Buddhanoy, M. ; Sakib, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 22 (2022-09-01), Heft 3, S. 438-446
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Comprehensive Study of Total Ionizing Dose Effect on the Electrical Performance of the GaN MIS-HEMT
    Yang, C.Y. ; Chung, C.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 22 (2022-06-01), Heft 2, S. 276-281
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Critical Insights Into Fast Charging Techniques for Lithium-Ion Batteries in Electric Vehicles
    Duru, K.K. ; Karra, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 21 (2021-03-01), Heft 1, S. 137-152
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Using the Octagonal Layout Style for MOSFETs to Boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments
    Peruzzi, V.V. ; Cruz, W.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), Heft 4, S. 754-759
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Effect of Ion Implant Modification on Electrical Properties of MTM Antifuse a-Si Films
    Xiao, Z.Q. ; Hong, G.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-03-01), Heft 1, S. 146-151
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Analysis of 80-MeV Carbon and 80-MeV Nitrogen Ion Irradiation Effects on N-Channel MOSFETs
    Anjum, A. ; Pradeep, T.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 19 (2019-12-01), Heft 4, S. 696-703
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Single Event Transients in Sub-10nm SOI MuGFETs Due to Heavy-Ion Irradiation
    Jha, C.K. ; Aditya, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), Heft 2, S. 395-403
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design for High Reliability of CMOS IC With Tolerance on Total Ionizing Dose Effect
    Lee, M. ; Cho, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), Heft 2, S. 459-467
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    The Novel Structure to Enhancement Ion/Ioff Ratio Based on Field Effect Diode
    Sharafi, F. ; Orouji, A.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 21 (2021-09-01), Heft 3, S. 389-393
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    In Situ I - V Measurements of an Ultraviolet Enhanced $\hbox{ZnS:TiO}_{2}/\hbox{n-Si}$ Quantum Dot Heterojunction Photodiode Under 120 MeV $\hbox{Au}^{9+}$ Ions
    Sana, P. ; Verma, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 13 (2013-09-01), Heft 3, S. 407-412
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Molecular Dynamics Simulations of Heavy Ion Induced Defects in SiC Schottky Diodes
    Javanainen, A. ; Vazquez Muinos, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-09-01), Heft 3, S. 481-481
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    3-D TCAD Assessment of Fin-Based Hybrid Devices Under Heavy Ion Irradiation in 20-nm Technology
    Pradhan, K.P. ; Saha, S.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-09-01), Heft 3, S. 474-474
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Impact Ionization and Interface Trap Generation in 28-nm MOSFETs at Cryogenic Temperatures
    Yan, X. ; Wang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-09-01), Heft 3, S. 456-456
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    In Situ Investigation of Current Transport Across Pt/n-Si (100) Schottky Junction During 100 $\hbox{MeV Ni}^{+7}$ Ion Irradiation
    Verma, S. ; Praveen, K. C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 13 (2013-03-01), Heft 1, S. 98-102
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Universal Dielectric Breakdown Modeling Under Off-State TDDB for Ultra-Scaled Device From 130nm to 28nm Nodes and Beyond
    Garba-Seybou, T. ; Bravaix, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 24 (2024-06-01), Heft 2, S. 174-183
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Reliable Inkjet-Printed Interconnections on Foil-Type Li-Ion Batteries
    Palacios-Aguilera, N. B. ; Visser, H. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 13 (2013-03-01), Heft 1, S. 136-145
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -