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    ESD Protection Designs: Topical Overview and Perspective.
    Pan, Zijin ; Li, Cheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 22 (2022-09-01), Heft 3, S. 356-370
    Online academicJournal
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    A Novel DTSCR With Embedded MOS and Island Diodes for ESD Protection of High-Speed ICs.
    Liang, Hailian ; Ma, Qinling ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 22 (2022-06-01), Heft 2, S. 306-311
    Online academicJournal
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    Novel ESD Compact Modeling Methodology Using Machine Learning Techniques for Snapback and Non-Snapback ESD Devices.
    Liang, Wei ; Yang, Xuejiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 21 (2021-12-01), Heft 4, S. 455-464
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    ESD Stress Effect on Failure Mechanisms in GaN-on-Si Power Device.
    Yang, Wen ; Stoll, Nicholas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 21 (2021-12-01), Heft 4, S. 479-485
    Online academicJournal
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    Design, Fabrication and Characterization of Single-Crystalline Graphene gNEMS ESD Switches for Future ICs.
    Li, Cheng ; Chen, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 21 (2021-09-01), Heft 3, S. 331-337
    Online academicJournal
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    A Gated-Diode ESD SCR-Incorporated BJT for Reversed Floating P⁺ Junction Modulation.
    Huang, Chih-Yao ; Chen, Quo-Ker ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 21 (2021-03-01), Heft 1, S. 64-69
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A Gate-Grounded NMOS-Based Dual-Directional ESD Protection With High Holding Voltage for 12V Application.
    Do, Kyoung-Il ; Song, Bo-Bae ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), Heft 4, S. 716-722
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Detection of ESD-Induced Soft Failures by Analyzing Linux Kernel Function Calls.
    Liu, Xiaorui ; Maghlakelidze, Giorgi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-03-01), Heft 1, S. 128-135
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    ESD Protection Design for Open-Drain Power Amplifier in CMOS Technology.
    Lin, Chun-Yu ; Li, Guan-Yi
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-12-01), Heft 4, S. 782-790
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The Influence of N-Type Buried Layer on SCR ESD Protection Devices.
    Wang, Yang ; Chen, Xijun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), Heft 4, S. 658-666
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    ESD Behavior of AlGaN/GaN Schottky Diodes.
    Shankar, Bhawani ; Gupta, Sayak Dutta ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), Heft 2, S. 437-444
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Area-Efficient On-Chip Transient Detection Circuit for System-Level ESD Protection Against Transient-Induced Malfunction.
    Chen, Wen-Chieh ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), Heft 2, S. 363-369
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    ESD Protection Design With Diode-Triggered Quad-SCR for Separated Power Domains.
    Chen, Jie-Ting ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), Heft 2, S. 283-289
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Measurement and Simulation of On-Chip Supply Noise Induced by System-Level ESD.
    Xiu, Yang ; Thomson, Nicholas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-03-01), Heft 1, S. 211-220
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Test Scheme and Degradation Model of Accumulated Electrostatic Discharge (ESD) Damage for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Prognostics.
    Lee, Junmin ; Oh, Hyunseok ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-03-01), Heft 1, S. 233-241
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Influence of Latch-Up Immunity Structure on ESD Robustness of SOI-LIGBT Used As Output Device.
    Ye, Ran ; Liu, Siyang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 28 (2018-06-01), Heft 6, S. 284-290
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Contribution to Silicon-Carbide-MESFET ESD Robustness Analysis.
    Phulpin, T. ; Isoird, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 28 (2018-06-01), Heft 6, S. 214-223
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low-C ESD Protection Design With Dual Resistor-Triggered SCRs in CMOS Technology.
    Lin, Chun-Yu ; Chen, Chun-Yu
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 28 (2018-06-01), Heft 6, S. 197-204
    Online academicJournal
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    ESD Behavior of MWCNT Interconnects—Part I: Observations and Insights.
    Mishra, Abhishek ; Gossner, Harald ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 17 (2017-12-01), Heft 4, S. 600-607
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    ESD Robustness Enhancement Study of Ultra-High-Voltage JFET With Ballast Structure.
    Fujiwara, Shuji
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 17 (2017-12-01), Heft 4, S. 616-623
    Online academicJournal
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xs 0 - 576
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xl 1200 - 1366
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