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    Improvement of the reliability of potassium-ion electrets thorough an additional oxidation process.
    Ohata, Yoshiki ; Nakanishi, Toru ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 121 (2022-12-12), Heft 24, S. 1-5
    academicJournal
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    academicJournal
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    Wet oxidation of nitride layer implanted with low-energy Si ions for improved oxide-nitride-oxide memory stacks.
    Ioannou-Sougleridis, V. ; Dimitrakis, P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-06-25), Heft 26, S. 263513-263515
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Cupric oxide nanoparticles in SiO<subscript>2</subscript> fabricated by copper-ion implantation combined with thermal oxidation.
    Amekura, H. ; Kono, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-10), Heft 15, S. 153105-153107
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of ZnO nanoparticles in SiO<subscript>2</subscript> by ion implantation combined with thermal oxidation.
    Amekura, H. ; Umeda, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-07-04), Heft 1, S. 13109-13111
    academicJournal
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    Fabrication of nickel oxide nanoparticles in SiO<subscript>2</subscript> by metal-ion implantation combined with thermal oxidation.
    Amekura, H. ; Umeda, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-08-09), Heft 6, S. 1015-1017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In situ ion scattering and x-ray photoelectron spectroscopy studies of stability and nanoscale oxidation of single crystal (100) InAs.
    Chang, Chia-Lin ; Shutthanandan, Vaithiyalingam ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-05-14), Heft 20, S. 203109-203111
    academicJournal
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    Ion beam oxidation for Josephson circuit applications.
    Pei, S. S. ; van Dover, R. B.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-04-01), Heft 7, S. 703-705
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of coincident ion bombardment on the oxidation of Si (100) by atomic oxygen.
    Engstrom, J. R. ; Bonser, D. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-11-20), Heft 21, S. 2202-2204
    academicJournal
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    Enhanced oxidation and segregation in plasma source ion implanted alloy.
    Bolduc, M. ; Terreault, B.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-02-10), Heft 6, S. 895-897
    academicJournal
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    academicJournal
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    Mechanisms of buried oxide formation by ion implantation.
    White, Alice E. ; Short, K. T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-01-05), Heft 1, S. 19-21
    academicJournal
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    Ion implantation and thermal oxidation as treatments to initiate sustained oxide wear in steels.
    Hale, E. B. ; Kohser, R. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 49 (1986-08-25), Heft 8, S. 447-449
    academicJournal
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    X-ray reflectance studies of interface in ion beam sputtered CoFeB/MgO bilayers.
    Raju, M. ; Chaudhary, Sujeet ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-05-23), Heft 21, S. 212506-212508
    academicJournal
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    New SiGe dielectrics grown at room temperature by low-energy ion beam oxidation and nitridation.
    Vancauwenberghe, O. ; Hellman, O.C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 59 (1991-10-14), Heft 16, S. 2031-2033
    academicJournal
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    Ion beam induced oxidation of silicon.
    Holmén, G. ; Jacobsson, Harald
    In: Applied Physics Letters, Jg. 53 (1988-11-07), Heft 19, S. 1838-1840
    academicJournal
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    Surface oxidation of GaAs and AlGaAs in low-energy Ar/O2 reactive ion beam etching.
    Kinoshita, Haruhisa ; Ishida, Toshimasa ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 49 (1986-07-28), Heft 4, S. 204-206
    academicJournal
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    academicJournal
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    Fabrication of surface textures by ion implantation for antireflection of silicon crystals.
    Kadakia, Nirag ; Naczas, Sebastian ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-11-08), Heft 19, S. 191912-191914
    academicJournal
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