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    Table of contents IPFA 2010.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-5
    Online Konferenz
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    Volltext
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    Study of turn-on characteristics of SCRs for ESD protection with TDR-O and TDR-S TLPs.
    Huo, Ming-xu ; Han, Yan ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-8
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    ESD protection design with lateral DMOS transistor in 40-V BCD technology.
    Wang, Chang-Tzu ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-4
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    ESD protection design for low trigger voltage and high latch-up immunity.
    Tseng, Jen-Chou ; Hsu, Chung-Ti ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-4
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Electrical instabilities and low-frequency noise in InGaZnO thin film transistors.
    Lee, Jong-Ho ; Kwon, Hyuck-In ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-7
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Threshold voltage shift in FIB circuit edit of embedded flash device.
    Joon Chai Yeoh ; Chong, K.C. ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-4
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    FIB process for selective and clean etching copper in high aspect ratio holes.
    Makarov, V.V. ; Krasnobaev, L.Y. ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    FIB sample preparation for TEM failure analysis of advanced devices.
    Zhu, J. ; Wang, Q.X. ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-5
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Photovoltaics: From alternative energy to mature industry.
    Steeman, R.A.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-4
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    3-D ICs: Motivation, performance analysis, technology and applications.
    Saraswat, K.C.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-6
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The correlation of capacitance-voltage hysteresis measurements with performance during accelerated lifetime testing of polycrystalline thin film solar cells.
    Albin, D.S.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-6
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The influence of decoupling capacitor on the discharge behavior of fully silcided power-clamped device under HBM ESD event.
    Lee, Jian-Hsing ; Shih, J.R. ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-5
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Defect localization using photon emission microscopy analysis with the combination of OBIRCH analysis.
    Chunlei, Wu ; Zhai, L. ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-6
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Novel fault localization approach for ATPG / scan-fault failures in complex sub-nano FPGA/ASIC debugging.
    Goh, L.L.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-4
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Physical failure analysis cases by Electron Beam Absorbed Current & Electron Beam Induced Current detection on nano-probing SEM system.
    Wen Pin Lin ; Hsiu Ju Chang
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-4
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Absorbed-specimen current imaging implementation and characterization in nano-prober for resistive interconnects isolation in 45-nm silicon-on-insulator microprocessors.
    Yaliang, Chen ; Soon-Huat, Lim ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-5
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Advanced direct contact via (DCV) process with Ta/TaN/Ta tri-layer barrier for advanced BEOL dual damascene Cu interconnects.
    Deng, F.X. ; Zhang, D.H. ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Improved reliability of copper interconnects using alloying.
    Gambino, J.P.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-7
    Online Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Current stressing effects on the reliability of Cu pillar bump with shallow solder.
    Kim, Byoung-Joon ; Jeong, Myeong-Hyeok ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-4
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    Ultra-low-k porous SiCOH dielectric degradation process before breakdown.
    Breuer, T. ; Kerst, U. ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2010, S. 1-6
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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