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    High purity RF-sputter type metal ion source for non-mass-separated ion beam deposition
    Miyake, K. ; Ishikawa, Y. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 550-553
    Online Konferenz
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    An oxygen ion dose dependence of dielectric constant and surface roughness of titanium oxide films deposited on silicon by an ion beam assisted deposition technique
    Yokota, K. ; Nakamura, K. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 350-353
    Online Konferenz
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    Nitrogen ion dose dependence of surface morphology of titanium nitride films deposited on gallium arsenide by an ion beam assisted deposition technique
    Yokota, K. ; Nakamura, K. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 346-349
    Online Konferenz
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    Ion energy distributions in plasma immersion ion implantation-theory and experiment
    Kellerman, P.L. ; Bernstein, J.D. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 484-487
    Online Konferenz
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    Enhancing B/sup +/ ion current by adding MgO to the chamber material of a microwave ion source
    Sakudo, N. ; Ito, H. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 520-523
    Online Konferenz
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    Ion implantation technique using negative ions for artificial neuron network on polystyrene in cell culture
    Tsuji, H. ; Sasaki, H. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 809-812
    Online Konferenz
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    Nano-cluster engineering: a combined ion implantation and ionizing radiation
    Ila, D. ; Zimmerman, R.L. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 801-804
    Online Konferenz
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    Ion implantation induced damage in silicon carbide studied by non-Rutherford elastic backscattering
    Szilagyi, E. ; Kotai, E. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 131-134
    Online Konferenz
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    Comparative analysis of parameters of deep levels in the ion implanted layers and fast electron-irradiated structures
    Yurchuk, S.Y. ; Kol'tsov, G.I. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 127-130
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Simulation of ultra-low energy ion implantation from a remote plasma source using Monte Carlo techniques
    Puchner, H. ; Sukharev, V. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 224-227
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Synthesis of SOI material using low energy water ion implantation
    Chen, Jing ; Chen, Meng ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 261-264
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Decaborane, an alternative approach to ultra low energy ion implantation
    Jacobson, D.C. ; Bourdelle, K. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 300-303
    Online Konferenz
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    Large area line beam formation in Nissin ion doping system for TFT LCD fabrication
    Andoh, Y. ; Inouchi, Y. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 322-325
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    Decaborane ion implantation
    Perel, A.S. ; Krull, W. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 304-307
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    Ion implantation of N into Si and SiO/sub 2//Si in the 1-1000 eV energy range for gate dielectric fabrication
    Krug, C. ; Baumvol, I.J.R.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 342-345
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Decel lens system for low-energy ion implantation with high dose uniformity
    Teichert, J. ; von Borany, J.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 388-391
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    Emittance considerations in ion source design and operation
    Povall, S. ; Cook, C.E.A. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 530-533
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    Advantages of AsF/sub 5/ dopant gas in a RF ion source
    Graf, M.A. ; Sohl, C. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 534-537
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    Effects of dopant deposition on p/sup +//n and n/sup +//p shallow junctions formed by plasma immersion ion implantation
    Bernstein, J.D. ; Kellerman, P.L. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 464-471
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    Phosphorus ion shower implantation for special power IC applications
    Kroner, F. ; Schork, R. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 476-479
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