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    The excess energy of a low-energy ion beam extracted from a source plasma containing negative ions
    Sakudo, N. ; Hayashi, K. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 346-349
    Online Konferenz
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    Measurement for divergence angle of ion beams extracted from the Bernas type ion source
    Kunibe, T. ; Sasaki, N. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 424-427
    Online Konferenz
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    Volltext
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    Microwave ion source for ultra clean ion implanters
    Ito, H. ; Ito, S. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 558-561
    Online Konferenz
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    Simultaneous ion beam deposition of positive and negative ions for the production of Au-N systems
    Heck, C. ; Tsubouchi, N. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 2 (1998), S. 893-896
    Online Konferenz
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    Ion beam mixing of Au/Fe multilayers by Ar ion implantation
    Sakamoto, I. ; Honda, S. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 2 (1998), S. 939-942
    Online Konferenz
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    Visual observation of decelerated ion beam trajectories by using electronically excited molecular ions (N/sub 2//sup +/ or CO/sup +/) in IBD system
    Miyake, K.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 2 (1998), S. 986-989
    Online Konferenz
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    High energy aluminum ion implantation using a variable energy RFQ ion implanter
    Amemiya, K. ; Ito, J. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 288-291
    Online Konferenz
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    Beam current control of an ECR ion source for medium current ion implanter
    Inouchi, Y. ; Okuda, S. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 444-447
    Online Konferenz
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    Comparison of silicon etching properties between F/sup -/ negative ion and SF/sub 3//sup +/ positive ion-beam etchings
    Ishikawa, J. ; Tsuji, H. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 2 (1998), S. 716-719
    Online Konferenz
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    An unscanned, mass-analyzed ion implantation system for flat-panel displays
    Satoh, S. ; Degawa, T. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 138-141
    Online Konferenz
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    A technique for the production of multiple, large, mass analysed ribbon ion beams
    Aitken, D.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 196-202
    Online Konferenz
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    Characterisation of extended life ion source in Eaton's NV-8250 medium current ion implanter
    Curello, G. ; McWilliams, T. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 223-226
    Online Konferenz
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    The development of a beam line using an RFQ and 3-Gap RF accelerators for high energy ion implanter
    Fujisawa, H. ; Hamamoto, N. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 203-206
    Online Konferenz
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    NV-GSD-HC3 300 mm high current ion implantation system
    Murakami, J. ; Kabasawa, M. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 180-183
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Optimization of the plasma-sputter-type negative ion source
    Oomori, H. ; Kasuya, T. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 231-234
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Abatement of hazardous ion implant gases: experimental results
    Arno, J. ; Boyd, W. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 243-246
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improvements of microwave ion source for 300 mm-diameter SIMOX wafer production
    Tokiguchi, K. ; Seki, T. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 296-299
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    Gas release from a compact powdery sample ion source
    Wada, M. ; Kasuya, T. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 334-337
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    Selective ion formation in a multi-cusp sputtering source
    Ramos, H.J. ; Kasuya, T. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 338-341
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    Beam characterizations of mass separated, low-energy positive and negative ions deposition apparatus
    Tsubouchi, N. ; Horino, Y. ; et al.
    In: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144), Jg. 1 (1999), S. 350-353
    Online Konferenz
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